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    介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀,介電常數(shù)測(cè)試儀

    型 號(hào)GDAT-A

    更新時(shí)間2024-11-19

    廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

    報(bào)價(jià)

    產(chǎn)品描述:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

    產(chǎn)品概述

     

    介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法


    二、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀技術(shù)指標(biāo)
      1.Q值測(cè)量
     a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
     b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
    c.標(biāo)稱誤差
    頻率范圍:20kHz~10MHz;
            固有誤差:≤5%±滿度值的2%;
                    工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
                            頻率范圍:10MHz~60MHz;
                                    固有誤差:≤6%±滿度值的2%;
                                            工作誤差:≤8%±滿度值的2%。
    2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H
    3.電容測(cè)量:1~ 460
     直接測(cè)量范圍:1~460pF
    主電容調(diào)節(jié)范圍:準(zhǔn)確度30~500pF;150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%

       注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
       4.介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍

    頻率范圍:10kHz~50MHz
    頻率分段:(虛擬)10~99.9999kHz;100~999.999kHz;1~9.99999MHz;10~60MHz     

    頻率指示誤差:3×10-5±1個(gè)字
    5.Q合格指示預(yù)置功能

     預(yù)置范圍:5~1000。

     

    介電常介質(zhì)損耗測(cè)試儀操作步驟:

    介電常數(shù)Σ的測(cè)試
    a. 再松開(kāi)二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)    要用測(cè)微桿,以免夾得過(guò)緊或過(guò)松),這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
    b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器,使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
    c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù):
                             Σ=D2 / D4
    5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試
    a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。把被測(cè)樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
    b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
    c. 然后取下測(cè)試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電容讀數(shù)記為C3,此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 -C1
    d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)

    ?
    ? ?
    式中:CZ 為測(cè)試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)
    C0 為測(cè)試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)

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